安防之家讯： 本文重点为大家介绍的是cmos工艺与双极工艺的区别
对于模拟设计而言，CMOS工艺与双极型工艺孰优孰劣的争论一直伴随着器件本身的发展。下面比较以下两种工艺的主要参数。
双极型晶体管需要输入（基极）电流，而CMOS晶体管不需要，特别是在直流情况下这一要求更为严格；在高频情况下存在输入电容，从而导致电流的产生。另外，一些模拟设计（见第8章）已经成功将该电流降到至最低。
双极型晶体管的偏置电压较低，情况通常如此，但偏置电压还与尺寸有关。将CMOS晶体管做得比双极型晶体管大（或者采用微调），就可以获得同样低的偏置电压。
双极型晶体管具有较低的噪声，特别是在低频段（1/f噪声，见第6章）。一个特例是：自动调零（即断路器稳定输入，见第8章）。
CMOS器件尺度较小。但通常情况并非如此，在模拟电路设计中，为了达到要求的性能（匹配、增益、低噪声），CMOS晶体管的尺寸必须远大于该工艺允许的最小尺寸。在合理的高供电电压下（3 V或3 V以上），CMOS器件与双极型器件的最终尺寸基本相同。
对于低电压设计，双极型晶体管更有优势。CMOS器件的跨导随高于阈值的栅极电压平方增大。如果栅极电压仅高于阈值0.5 V，则需要相当宽的栅极宽度以得到较大的漏电流。在双极型晶体管中，基极电压仅需升高60 mV（室温），集电极电流即可增加10倍。相反，COMS则朝着越来越低的电压方向发展，这是该工艺的一个严重不足之处。以上就是小编为大家介绍的cmos工艺与双极工艺的不同知识，希望大家能够了解。
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